Теоретическое исследование устойчивости и способов получения слоевых алмазоподобных наноструктур

В данной статье с использованием метода теории функционала плотности выполнено теоретическое исследование структуры, устойчивости, электронных свойств и процесса формирования новых двумерных алмазоподобных наноструктур DL3-12 и DL4‑6‑12. В результате расчетов установлено, что структуры этих алмазоподобных бислоев модельно могут быть получены в процессе сшивки двух одинаковых графеновых слоев L3-12 или L4‑6‑12. Бислои DL3-12 и DL4‑6‑12 имеют гексагональные элементарные ячейки с параметрами решеток 5.8204 и 7.5116 Å, соответственно. Расчетная поверхностная плотность бислоев DL3-12 и DL4‑6‑12 соответственно составляет 0.082 и 0.098 мкг / см2 и превышает значение плотности гексагонального графена на 7 – 28 %. В структуре изученных алмазоподобных бислоев наблюдаются поры, максимальный диаметр которых составляет ~4.5 Å. Расчет электронных свойств показал, что бислои DL3-12 и DL4‑6‑12 должны быть полупроводниками с ширинами прямых запрещенных зон 1.7 и 2.3 эВ, соответственно. Также установлено, что алмазоподобный бислой DL3-12 является устойчивым до 200 К, тогда как бислой DL4‑6‑12 устойчив до 210 К. В области этих температур происходит небольшое гофрирование алмазоподобных бислоев, а при более высоких температурах наблюдается деструкция бислоев. Наиболее вероятный способ получения бислоев DL3-12 и DL4‑6‑12 заключается в сильном одноосном сжатии двух графеновых слоев. Алмазоподобный бислой DL3-12 может быть сформирован из графена L3-12 при давлениях, превышающих 16.7 ГПа, тогда как бислой DL4‑6‑12 может быть получен из графена L4‑6‑12 при давлении 8.6 ГПа.

Моделирование способов синтеза алмазоподобных полициклобутановых фаз

В.А. Грешняков, Е.А. Беленков

Исследование фазовых переходов в системах с конкурирующими взаимодействиями в магнитном поле методом компьютерного моделирования

С.В. Белим

Effect of disorder on phase transitions in antidote lattice thin films: computer simulations

S.V. Belim, S.S. Simakova, I.V. Tikhomirov

Исследование критического поведения антиферромагнитных тонких пленок методом компьютерного моделирования

С.В. Белим, Е.В. Трушникова

Магнитоэлектрическое взаимодействие на интерфейсе в сверхрешетках мультиферроиков: исследование фазовых переходов методами Монте-Карло

А.Р. Юлдашева, Н.М. Нугаева

The adsorption modeling of bisphenol A derivatives on the surface of carbon materials

S.A. Sozykin, E.V. Bartashevich

Аморфизация из твердого состояния в тонкой поверхностной пленке Fe-Si-Mg-O, инициированная восстановлением элементов из оксидов в интервале температур α-γ-превращения

М.Л. Лобанов, А.С. Юровских, П.Л. Резник, Н.Н. Никульченков, Г.М. Русаков, А.А. Редикульцев

Discrete breathers of new type in monoatomic chains

G. Chechin, V. Lapina

Structure formation and physical-mechanical properties of Al-Mg alloy with microadditions of graphene

I.G. Brodova, L.A. Yolshina, D.Y. Rasposienko, R.V. Muradymov, I.G. Shirinkina, S.V. Razorenov, A.N. Petrova, E.V. Shorokhov