Аннотация
Развита модель, описывающая влияние процесса электромиграции на неустойчивость свободной поверхности проводящей пленки, лежащей на подложке. Получены и исследованы зависимости условий возникновения неустойчивости от величины и направления электрического тока в пленке, а также от величины и характера механических напряжений, существующих на границе с подложкой.
Ссылки (6)
1. R. Panat, J. Hsia, D.G. Cahill. J. Appl. Phys. 97, 013521(2005).
2. K.A. Valiev, R.V. Goldstein. Yu.V. Zhitnikov et al.Microelektronika. 38, 364 (2009). (in Russian)[К.А. Валиев, Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житникови др.Микроэлектроника. 38. 364 (2009).].
3. P. Vasudev., R.J. Asaro, W.A. Tiller. Acta Metallur. 23, 341(1975).
4. Yu.M. Petrov. Clusters and small particles. M.:Nauka(1986) 367 p. (in Russian).
5. K.N. Tu. J. Appl. Phys. 94, 5452 (2003).
6. Handbook of Physical Quantities, ed. by Grigoriev I.S. andMeilikhov E.Z., M.:Energoatomizdat. (1991). (in Russian).