Анализ структуры сплава Ni2MnGa методом регистрации обратно-отраженных электронов

Получена: 11 марта 2013; Исправлена: 15 марта 2013; Принята: 15 марта 2013
Цитирование: И.И. Мусабиров. Анализ структуры сплава Ni2MnGa методом регистрации обратно-отраженных электронов. Письма о материалах. 2013. Т.3. №1. С.20-24
BibTex   https://doi.org/10.22226/2410-3535-2013-1-20-24

Аннотация

В работе представлены результаты исследования кристаллографической структуры высокотемпературной и низкотемпературной фаз сплава Ni2,08Mn0,96Ga0,96 в исходном литом состоянии и после высокотемпературного отжига. Показано, что в сплаве, полученном методом многократной переплавки слитка, наблюдается кристаллографическая текстура аустенитной и мартенситной фаз сплава. В высокотемпературной фазе это текстура типа (100)<001>, в низкотемпературной фазе она является двухкомпонентной: (001)<001> и (110)<110>. В процессе высокотемпературного отжига сплава при температуре 6500С в течение 5 часов про-исходит размытие текстуры обеих фаз сплава.

Ссылки (12)

1. Murray S.J., Marioni M., Allen S.M., O. Handley R.C., Lograsso T.A. Appl. Phys. Lett. 77, 886 (2000).
2. Sozinov A., Likhachev A.A., Lanska N., Ullakko K. Appl. Phys. Lett. 80, 1746 (2002).
3. Y. Sutou, Y. Imano, N. Koeda, T. Omori, R. Kainuma, K. Ishida, K. Oikawa, Appl. Phys. Lett. 85, 4358 (2004).
4. K. Oikawa, W. Ito, Y. Imano, Y. Sutou, R. Kainuma, K. Ishida, S. Okamoto, O. Kitakami, T. Kanomata. Appl. Phys. Lett. 88, 122507 (2006).
5. T. Krenke, E. Duman, M. Acet, E.F. Wassermann, X. Moya, L. Manosa, A. Planes. Nat. Mater. 4, 450 (2005).
6. Z.D. Han, D.H. Wang, C.L. Zhang, S.L. Tang, B.X. Gu, Y.W. Du. Appl. Phys. Lett. 89, 182507 (2006).
7. Kh.Y. Mulyukov, I.I. Musabirov, A.V. Mashirov. Letters on Materials. 2(4), 194 (2012) [Мулюков Х.Я., Мусабиров И.И., Маширов А.В. Письма о материалах, 2012 Т. 2, Вып. 4, Стр. 194-197.].
8. K. Koyama, H. Okada, K. Watanabe, T. Kanomata, R. Kainuma, W. Ito, K. Oikawa, K. Ishida. Appl. Phys. Lett. 89, 182510 (2006).
9. S.Y. Yu, Z.H. Liu, G.D. Liu, J.L. Chen, Z.X. Cao, G.H. Wu, B. Zhang, X.X. Zhang, Appl. Phys. Lett. 89, 162503 (2006).
10. L. Straka, O. Heczko. J. Appl. Phys. 93(10), 8636(2003).
11. K. Inoue, Y. Yamaguchi, K. Ohsumi, K. Kusaka, T. Nakagawa. Mater. Trans. 46(6), 1425 (2005).
12. Musabirov I.I., Mulyukov Kh.Ya., Safarov I.M. Letters on Materials. 2(3), 157 (2012) [Мусабиров И.И., Мулюков Х.Я., Сафаров И.М. Письма о материалах, 2012 Т. 2, Вып. 3, Стр. 157-160.].

Цитирования (2)

1.
E. N. Moskvichev, V. A. Skripnyak, V. V. Skripnyak, A. A. Kozulin, D. V. Lychagin. Phys Mesomech. 21(6), 515 (2018). Crossref
2.
I.I. Musabirov, R.M. Galeyev, I.M. Safarov. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 514, 167160 (2020). Crossref

Другие статьи на эту тему