Новая переменная процесса нанесения тонкой пленки CeO2 экипированным полимером золь-гель методом

Получена: 26 сентября 2012; Принята: 26 октября 2012
Цитирование: М.А. Пыльнев. Новая переменная процесса нанесения тонкой пленки CeO2 экипированным полимером золь-гель методом. Письма о материалах. 2012. Т.2. №3. С.131-133
BibTex   https://doi.org/10.22226/2410-3535-2012-3-131-133

Аннотация

Работа посвящена раскрытию механизма роста пленки диоксида церия полученной экипированным полимером золь-гель методом. В работе вводится новый параметр процесса - шейкинг стабилизированного полимером золя. Показано, что использование данного параметра позволяет получать пленки диоксида церия лучшего качества. Приводится модель, описывающая рост пленки.

Ссылки (9)

1. M. Fronzi, A. Soon, B. Delley, E. Traversa, C. Stampfl. TheJournal of Chemical Physics 131, 10 (2009).
2. Rui Si, Ya-Wen Zhang, Li-Ping You, Chun-Hua Yan.Self-Organized Monolayer of Nanosized Ceria ColloidsStabilized by Poly(vinylpyrrolidone). J. Phys. Chem.B110, 5994 (2006).
3. Andrea Cavallaro. Optimisation of CSD buffer layers forYBa2Cu3O7 coated conductor development. PhD thesis, Barcelona. (2005) 183 p.
4. Yu.A. Boikov, T. Claeson, D. Erts. Phys. Solid State 40, 183 (1998). [Бойков Ю.А., Клаесон Т., Эртс Д. ФТТ40, 205 (1998)].
5. Nigel Van de Velde, David Van de Vyver, Oliver Brunkahl, Serge Hoste, Els Bruneel, Isabel Van Driessche СeO2Buffer Layers for HTSC by an Aqueous Sol-Gel MethodChemistry and Microstructure. Eur. J. Inorg. Chem. 2, 233 (2010).
6. D.V. Tarasova, E.A. Bovina, A.M. Sergeev, M.M.Soderzhinova. Colloid Journal 69(2), 227 (2007).[Тарасова Д.В., Бовина Е.А., Сергеев А.М., Содержинова М.М. Коллоидный журнал 69, 227(2007)].
7. M. Chigane, M. Izaki, Y. Hatanaka, T. Shinagawa, M.Ishikawa. J. Electrochem. 5, 155 (2008).
8. T. Kishimoto, H. Kozuka. J. Mater. Res. 18, 2 (2003).
9. H. Kozuka, S. Takenaka, H. Tokita, M. Okubayashi. J.Europ. Cer. Soc. 24, 1585 (2004).