Физические аспекты взаимодействия иона лития с несовершенным силиценом, расположенным на серебряной подложке

А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова, К.А. Иваничкина, Ю.П. Зайков показать трудоустройства и электронную почту
Получена 20 сентября 2018; Принята 19 октября 2018;
Эта работа написана на английском языке
Цитирование: А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова, К.А. Иваничкина, Ю.П. Зайков. Физические аспекты взаимодействия иона лития с несовершенным силиценом, расположенным на серебряной подложке. Письма о материалах. 2018. Т.8. №4. С.463-467
BibTex   https://doi.org/10.22226/2410-3535-2018-4-463-467

Аннотация

Силицен - перспективный материал микроэлектроники будующего. Статья посвящена молекулярно-динамическому исследованию поведения двухслойного силицена, расположенного на серебряной подложке и взаимодействующего с ионом лития.Эпитаксия Si на серебряной подложке является основным методом получения силицена. Силицен не отделяется от подложки. В настоящей работе методом молекулярной динамики исследуется возможность использования силицена на серебряной подложке в качестве анода для литий-ионных батарей. Изучены структурные и механические эффекты, возникающие при движении иона Li+ по плоскому каналу, образованному двухслойным совершенным и дефектным силиценом. В основном устойчивость дефектов и целостность слоев силицена не зависит от типа подложки, Ag(001) или Ag(111). Поперечные колебания атомов Si в канале оказывают значительное влияние на движение ионов лития. Учет этого влияния выполняется с помощью введения коэффициента помех, который описывает замедление движения иона Li+ в канале. Определена зависимость этого коэффициента от размера вакансий в силицене. Присутствие подложки делает эту зависимость менее выраженной. Рассчитано распределение механических напряжений в несовершенном силицене, возникающих в процессе движения иона Li+ вдоль плоского силиценового канала. Наиболее сильные напряжения в силицене создаются силами, направленными перпендикулярно напряженности внешнего электрического поля. Эти силы доминируют в силиценовом канале, размещенном на подложках обоих типов.

Ссылки (19)

1. G. A. Tritsaris, E. Kaxiras, S. Meng, E. Wang. NanoLett. 13(5), 2258 (2013). Crossref
2. G. A. Tritsaris, K. Zhao, O. U. Okeke, E. Kaxiras. J. Phys. Chem. C. 116(42), 22212 (2012). Crossref
3. J. Huang, H.-J. Chen, M.-S. Wu, G. Liu, C.-Y. Ouyang, B. Xu. Chin. Phys. Lett. 30(1), 017103(1-5) (2013). Crossref
4. V. O. Ozcelik, H. H. Gured, S. Ciraci. Phys. Rev. B. 88(4), 045440(1-6) (2013). Crossref
5. J. F. Guo, J. F. Zhang, H. S. Liu, Q. F. Zhang, J. J. Zhao. Nanoscale 5(20), 9785 (2013). Crossref
6. H. Jamgotchain, Y. Colignon, B. Ealet, B. Parditka, J.-Y. Hoarau, C. Girardeaux, B. Aufray, J.-P. Bibérian. J. Phys.: Conf. Ser. 491(1), 012001(1-7) (2014). Crossref
7. G. R. Berdiyorov, F. M. Peeters. RSC Adv. 4(3), 1133 (2014). Crossref
8. G. A. Tritsaris, E. Kaxiras, S. Meng, E. Wang. NanoLett. 13(5), 2258 (2013). Crossref
9. O. R. Rakhmanova, A. Y. Galashev. Rus. J. Phys. Chem. A. 91(5), 921 (2017). Crossref
10. J. Tersoff. Phys. Rev. B. 49(23), 16349 (1994). Crossref
11. R. Yu, P. Zhai, G. Li, L. Liu. J. Electron. Mater. 41(6), 1465 (2012). Crossref
12. S. K. Das, D. Roy, S. J. Sengupta. Phys. F: Metal. Phys. 7(1), 5 (1977). Crossref
13. K.-N. Chiang, C.-Y. Chou, C.-J. Wu, C.-J. Huang, M.-C. Yew. Comp. Modell. Eng. Sci. 37(1), 85 (2008). Crossref
14. T. Shirai, T. Shirasawa, T. Hirahara, N. Fukui, T. Takahashi, S. Hasegawa. Phys Rev B. 89(24), 241403(1-6) (2014). Crossref
15. S. Kono, H. Sakurai, T. Sagawa, Surf. Sci. Lett. 130(1), L299 (1983). Crossref
16. Y.-P. Wang, H.-P. Cheng, Phys. Rev. B. 87(24), 245430 (2013). Crossref
17. A. E. Galashev. Phys. Met. Metallogr. 117(3), 246 (2016). Crossref
18. S. J. Plimpton. Comp. Phys. 117(1), 1 (1995). Crossref
19. A. E. Galashev, Yu. P. Zaikov, R. G. Vladykin. Rus. J. Electrochem. 52(10), 966 (2016). Crossref

Цитирования (10)

1.
Y. An, Y. Tian, C. Wei, Y. Zhang, S. Xiong, J. Feng, Y. Qian. Energy Storage Materials. 32, 115 (2020). Crossref
2.
Alexander Y. Galashev, Ksenia A. Ivanichkina, Alexey S. Vorob'ev, Oksana R. Rakhmanova, Konstantin P. Katin, Mikhail M. Maslov. International Journal of Hydrogen Energy. 46(32), 17019 (2021). Crossref
3.
A. E. Galashev, O. R. Rakhmanova. Glass Phys Chem. 46(4), 321 (2020). Crossref
4.
Vladimir A. Isaev, Olga V. Grishenkova, Yury P. Zaikov. J Solid State Electrochem. 25(2), 689 (2021). Crossref
5.
A. Galashev, A. Vorob'ev. Materials. 14(21), 6649 (2021). Crossref
6.
Alexander Y. Galashev. Solid State Ionics. 357, 115463 (2020). Crossref
7.
Alexander Y. Galashev, Oksana R. Rakhmanova. ChemPhysChem. 23(18) (2022). Crossref
8.
Alexander Y. Galashev, Alexey S. Vorob'ev. Physics Letters A. 408, 127487 (2021). Crossref
9.
Alexander Y. Galashev, Kseniya A. Ivanichkina, Oksana R. Rakhmanova. Computational Materials Science. 200, 110771 (2021). Crossref
10.
A. E. Galashev. Russ. J. Phys. Chem. B. 17(1), 113 (2023). Crossref

Другие статьи на эту тему