Транспорт заряда в тонких полимерных пленках

Получена: 21 января 2015; Исправлена: 01 апреля 2015; Принята: 12 апреля 2015
Эта работа написана на английском языке
Цитирование: Р.Б. Салихов, Т.Р. Салихов. Транспорт заряда в тонких полимерных пленках. Письма о материалах. 2015. Т.5. №4. С.442-447
BibTex   https://doi.org/10.22226/2410-3535-2015-4-442-447

Аннотация

В последнее время внимание исследователей обращено не только на разработку все большего количества различных элементов наноэлектроники на основе полимерных пленок, но и изучению электрофизических свойств использованных пленок и механизмов переноса носителей заряда. В данной статье рассмотрены особенности транспорта заряда, включая явления как на границе между полимером и металлическим электродом, так и в объеме полимерной пленки.

Ссылки (52)

1. G. Hadziioannou, P. F. Hutten. Semiconducting Polymers.Chemistry, Physics and Engineering. WILEY-VCHVerlag GmbH (2000).
2. R. Schmechel and H. Seggern. Phys. stat. sol. (a), 201, 1215 (2004).
3. D. Monro. Phys. Rev. Lett., 54, 146 (1985).
4. S. D. Baranovskii, H. Cordes, F. Hensel, G. Leising.Phys. Rev. B, 62, 7934 (2001).
5. V. I. Arkhipov, E. V. Emelianova, G. J. Adriaenssens, H. Bassler. J. Non-Cryst. Solids, 299 - 302, 1047 (2001).
6. S. M. Sze. Physics of semiconductor devices, J. Wiley &Sons (1981).
7. V. L. Rideout. Thin Solid Films, 48, 261 (1978).
8. R. H. Fowler, L. Nordheim. Proc. R. Soc. Lond. A, 119, 173 (1928).
9. I. D. Parker. J. Appl Phys., 75, 1656 (1994).
10. P. S. Davids, Sh. M. Kogan, I. D. Parker, D. L. Smith. Appl.Phys. Lett., 69, 2270 (1996).
11. M. A. Abkowitz, H. A. Mizes, J. S. Facci. Appl. Phys. Lett., 66, 1288 (1995).
12. Yu. N. Garlstein, E. M. Conwell. Chem. Phys. Lett., 255, 93 (1996).
13. V. I. Arkhipov, E. V. Emelianova, Y. H. Таk, H. Bassler.J. Appl. Phys., 84, 848 (1998).
14. G. Pfister, C. H. Grffiths. Phys. Rev. Lett., 40, 659 (1978).
15. H. Scher, E. W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975).
16. G. Pfister, S. Grammatica, J. Mort. Phys. Rev. Lett., 37, 1360 (1976).
17. M. Silver, L. Cohen. Phys. Rev. B, 15, 3276 (1977).
18. B. I. Shklovskii, A. L. Efros. Electronic properties of dopedsemiconductors. Springer-Verlag (1984).
19. N. F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 1 (1968).
20. E. Arnold. Appl. Phys. Lett., 25, 705 (1974).
21. M. Hori, F. Yonezawa. J. Phys. C, 10, 229 (1977).
22. L. Pautmeier, R. Richert, H. Bassler. Philos. Mag. B, 63, 587 (1991).
23. R. Richert, L. Pautmeier, H. Bassler. Phys. Rev. Lett., 63, 547 (1989).
24. A. Miller, E. Abrahams. Phys. Rev., 120, 745 (1960).
25. P. M. Borsenberger, L. Pautmeier, H. Bassler. J. Chem.Phys., 94, 5447 (1991).
26. M. A. Abkowitz. Philos. Mag. B, 65, 817 (1992).
27. T. Holstein. Ann. of Phys., 8, 343 (1959).
28. J. X. Mack, L. B. Schein. A. Peled. Phys. Rev. B, 39, 7500(1989).
29. L. B. Schein, D. Glatz, J. C. Scott. Phys. Rev. Lett., 65, 472(1990).
30. R. A. Marcus. J. Chem. Phys., 24, 966 (1956).
31. R. A. Marcus. Rev. Mod. Phys., 65, 599 (1993).
32. I. I. Fishchuk, A. Kadashchuk, H. Bassler, S. Nespurek.Phys. Rev. B, 67, 224303 (2003).
33. P. E. Parris, V. M. Kenkre, D. H. Dunlap. Phys. Rev. Lett., 87, 126601 (2001).
34. L. B. Schein. Philos. Mag. B, 65, 795 (1992).
35. D. Emin. Phys. Rev. B, 46, 9419 (1992).
36. Z. Shuai, J. L. Bredas, W. P. Su. Chem. Phys. Lett., 228, 301(1994).
37. A. A. Bunakov, A. N. Lachinov, R. B. Salikhov. TechnicalPhysics, 48 (5), 626 (2003).
38. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, A. A. Bunakov. Phys. of theSolid State, 49 (1), 185 (2007).
39. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, R. G. Rakhmeyev.Molecular Crystals and Liquid Crystals. 467 (1), 85(2007).
40. A. A. Bunakov, A. N. Lachinov, R. B. Salikhov.Butlerovskiye soobtcheniya, 3 (11), 64 (2002)(in Russian) [Бунаков А. А., Лачинов А. Н., Салихов Р. Б. Бутлеровские сообщения, 3 (11), 64(2002)].
41. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, R. G. Rakhmeev.Semiconductors, 41 (10), 1165 (2007).
42. A. A. Bunakov, A. N. Lachinov, R. B. Salikhov. Macromol.Symposia, 212, 387 (2004).
43. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, A. A. Bunakov.Nanotekhnika, 2, 43 (2008) (in Russian) [Салихов Р. Б., Лачинов А. Н., Бунаков А. А. Нанотехника, 2, 43(2008)].
44. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, R. G. Rakhmeev. J. Appl.Phys., 101, 053706 (2007).
45. A. N. Lachinov, R. B Salikhov, A. A. Bunakov., A. R. Tameev. Nonlinear Optics, Quantum Optics, 32, 13(2004).
46. A. R. Tameev, A. N. Lachinov, R. B. Salikhov, A. A. Bunakov, A. V. Vannikov. Russian Journal ofPhysical Chemistry, 79 (12), 2025 (2005).
47. A. R. Tameev, A. V. Vannikov, R. G. Rakhmeev, A. N. Lachinov, V. R. Nikitenko, R. B. Salikhov, A. A. Bunakov. Physics of the Solid State, 53 (1), 195(2011).
48. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, R. G. Rakhmeev. TechnicalPhysics Letters, 34 (6), 495 (2008).
49. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, V. M. Kornilov, R. G. Rakhmeev. Technical Physics, 54 (4), 575 (2009).
50. R. M. Gadiev, A. N. Lachinov, V. M. Kornilov, R. B. Salikhov, R. G. Rahmeev, A. R. Yusupov. Pis’ma vJETF, 90 (11), 821 - 825 (2009) (in Russian) [Гадиев Р. М., Лачинов А. Н., Корнилов В. М., Салихов Р. Б., Рахмеев Р. Г., Юсупов А. Р. Письма в ЖЭТФ, 90 (11), 821 - 825 (2009)].
51. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, R. G. Rakhmeev, R. M. Gadiev. Molecular Crystals and Liquid Crystals, 535, 74 (2011).
52. R. B. Salikhov, A. N. Lachinov, R. G. Rakhmeev, R. M. Gadiev, A. R. Yusupov, S. N. Salazkin. MeasurementTechniques, 52 (4), 427 (2009).

Другие статьи на эту тему