Особенности структурных превращений в сегнетоэлектрической керамике PbZr1-xTixO3 (ЦТС) при х≤0,08

А.А. Спиваков, Ю.Н. Захаров, Е.М. Панченко, А.Г. Лутохин показать трудоустройства и электронную почту
Получена 18 октября 2013; Принята 11 ноября 2013;
Цитирование: А.А. Спиваков, Ю.Н. Захаров, Е.М. Панченко, А.Г. Лутохин. Особенности структурных превращений в сегнетоэлектрической керамике PbZr1-xTixO3 (ЦТС) при х≤0,08. Письма о материалах. 2013. Т.3. №4. С.312-314
BibTex   https://doi.org/10.22226/2410-3535-2013-4-312-314

Аннотация

Исследованы диэлектрические и пироэлектрические свойства керамик системы PbZr1-xTixO3 (ЦТС) в концентрационном интервале 0,01<х<0,08. На основании полученных данных установлено, что в ЦТС существует область, в которой проявляются три характерные для всего семейства перовскита неустойчивости исходной кубической кристаллической решётки. Показано, что антисегнетоэлектрическая фаза ЦТС существует вплоть до х=0,07. Исследования для состава с х=0,08 в температурном интервале -200ºС<T<300, не выявили существование антисегнетоэлектрической фазы, что свидетельствует о существрвании вертикальной границы между фазами Pbam и R3с.

Ссылки (8)

1. M. E. Lines and A. M. Glass. «Principles and Applicationsof Ferroelectrics and Related Materials» Clarendon, Oxford. (1977).
2. D. E. Cox, B. Noheda, G. Shirane, Y. Uesu, K. Fujishiro, andY. Yamada, Appl. Phys. Lett. 79, 400 (2001).
3. F. Cordero, F. Craciun, C. Galassi. Journal of Physics andChemistry of Solids, 69, 2172 (2008).
4. W. Cochran, A. Zia. Phys. Stat. Sol., 25, 273 (1968).
5. B. Jaffe, W. Cook, H. Jaffe. «Piezoelectric ceramics», Academic Press, London and New York, 127 (1971).
6. V.V. Eremkin, V.A. Smotrakov and E.G. Fesenko.Ferroelectrics. 110, 137 (1990).
7. R. Eitel, C. A. Randall. Phys. Rev. B, 75, 094106 (2007).
8. F Cordero, F Trequattrini, F. Craciun and C. Galassi. J.Phys.: Condens. Matter, 23(41), 415901 (2011).

Другие статьи на эту тему