Микроструктура медных проволок, полученных электроосаждением

Т.Н. Конькова, С.Ю. Миронов, Й. Ке, Д. Онуки показать трудоустройства и электронную почту
Получена 26 мая 2014; Принята 22 июля 2014;
Эта работа написана на английском языке
Цитирование: Т.Н. Конькова, С.Ю. Миронов, Й. Ке, Д. Онуки. Микроструктура медных проволок, полученных электроосаждением. Письма о материалах. 2014. Т.4. №2. С.104-107
BibTex   https://doi.org/10.22226/2410-3535-2014-2-104-107

Аннотация

 Анализ картин дифракции обратно рассеянных электронов и просвечивающая электронная микроскопия использованы для изучения микроструктуры электроосажденных медных нанопроволок (шириной 100 нм) как сразу после процесса осаждения, так и после последующего отжига. Показано, что температурный интервал 100oC-200oC является переходным этапом при эволюции микроструктуры медных проволок.

Ссылки (23)

1. W. Steinhogl, G. Schindler, G. Steinlesberger, M. Traving, M. Engelhardt. J. Appl. Phys. 97 (2005) 023706.
2. V. Carreau, S. Maîtrejean, M. Verdier, Y. Bréchet, A. Roule, A. Toffoli, V. Delaye, G. Passemard. Microelectron. Eng.84, 2723 (2007).
3. S. Brandsetter, V. Carreau, S. Maitrejean, M. Verdier, M. Legros. Microelectronic Engineering. 87, 383 (2010).
4. S. Brandsetter, E.F. Rauch, V. Carreau, S. Maitrejean, M. Verdier, M. Legros. Scripta Materialia. 63, 965 (2010).
5. J. Onuki, K. Khoo, Y. Sasajima, Y. Chonan, and T. Kimura.J. Appl. Phys. 108, 044302 (2010).
6. K. Khoo, J. Onuki. Thin Solid Films. 518, 3413 (2010).
7. J. Onuki, S. Tashiro, K. Khoo, N. Ishikawa, T. Kimura, Y. Chonan, and H. Akahoshi. J. Electrochem. Soc. 157, 857 (2010).
8. T. Inami, J. Onuki, and M. Isshiki. Electrochemical andSolid-state Letters. 14, 1 (2011).
9. K.J. Ganesh, A.D. Darbal, S. Rajasekhara, G. S. Rohrer, K. Barmak and P.J. Ferreira. Nanotechnology. 23, 1 (2012).
10. Y. Ke, T. Konkova, S. Mironov, K. Tamahashi, J. Onuki.Thin Solid Films. 539, 207 (2013).
11. T. Konkova, S. Mironov, Y. Ke, J. Onuki. Electrochemistry.81, 616 (2013).
12. Y. Ke, T. Konkova, S. Mironov, J. Onuki. Letters onmaterials. 2, 198 (2012).
13. J.-Y. Cho, H.-J. Lee, H. Kim, J.A. Szpunar. Archives ofMetallurgy and Materials. 50, 261 (2005).
14. J.-Y. Cho, H.-J. Lee, H. Kim, and J.A. Szpunar. Journal ofElectronic Materials. 34, 506 (2005).
15. S.H. Brongersma, E. Kerr, I. Vervoort, A. Saerens, K. Maex.J. Mater. Res. 17, 582 (2002).
16. W. Wu, D. Ernur, S.H. Brongersma, M. Van Hove, K. Maex. Microelectronic Engineering. 76, 190 (2004).
17. W. Zhang, S.H. Brongersma, N. Heylen, G. Beyer, W. Vandervorst, and K. Maex. Journal of TheElectrochemical Society. 152, 832 (2005).
18. T. Muppidi, D.P. Field, J.E. Sanchez Jr., C.Woo. Thin SolidFilms. 471, 63 (2005).
19. J.-Y. Cho, K. Mirpuri, D.N. Lee, J.-K. An and J.A. Szpunar.Journal of Electronic Materials. 34, 53 (2005).
20. J.-Y. Cho, H.-J. Lee, H. Kim, J.A. Szpunar. Archives ofMetallurgy and Materials. 50, 261 (2005).
21. H.J. Lee, H.N. Han, and D.N. Lee. Journal of ElectronicMaterials. 34, 1493 (2005).
22. D.P. Field, O.V. Kononenko, and V.N. Matveev. Journal ofElectronic Materials. 31, 40 (2002).
23. N.-J. Park, D.P. Field, M.M. Nowell, and P.R. Besser.Journal of Electronic Materials. 34, 1500 (2005).

Цитирования (1)

1.
A. Roy, A. Adhikari. Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 41(3), 159 (2016). Crossref

Другие статьи на эту тему