Микроструктура медных проволок, полученных электроосаждением

Т.Н. Конькова1,2, С.Ю. Миронов3, Й. Ке2*, Д. Онуки2§
1Институт проблем сверхпластичности металлов РАН, ул. Халтурина 39, 450001 Уфа, Россия
2Университет Ибараки, Наканарусава-чо, 316-8511 Хитачи, Япония
3Университет Тохоку, 6-6-02 Арамаки-аза-Аоба, 980-8579 Сендай, Япония
Аннотация
 Анализ картин дифракции обратно рассеянных электронов и просвечивающая электронная микроскопия использованы для изучения микроструктуры электроосажденных медных нанопроволок (шириной 100 нм) как сразу после процесса осаждения, так и после последующего отжига. Показано, что температурный интервал 100oC-200oC является переходным этапом при эволюции микроструктуры медных проволок.
Получена: 26 мая 2014   Исправлена: 22 июля 2014   Принята: 22 июля 2014
Просмотры: 89   Загрузки: 16
Ссылки
1.
 W. Steinhogl, G. Schindler, G. Steinlesberger, M. Traving,M. Engelhardt. J. Appl. Phys. 97 (2005) 023706.
2.
 V. Carreau, S. Maîtrejean, M. Verdier, Y. Bréchet, A. Roule,A. Toffoli, V. Delaye, G. Passemard. Microelectron. Eng.84, 2723 (2007).
3.
  S.  Brandsetter, V.  Carreau, S.  Maitrejean, M.  Verdier,M. Legros. Microelectronic Engineering. 87, 383 (2010).
4.
  S.  Brandsetter, E.F.  Rauch, V.  Carreau, S.  Maitrejean,M. Verdier, M. Legros. Scripta Materialia. 63, 965 (2010).
5.
 J. Onuki, K. Khoo, Y. Sasajima, Y. Chonan, and T. Kimura.J. Appl. Phys. 108, 044302 (2010).
6.
 K. Khoo, J. Onuki. Thin Solid Films. 518, 3413 (2010).
7.
  J.  Onuki, S.  Tashiro, K.  Khoo, N.  Ishikawa, T.  Kimura,Y.  Chonan, and H.  Akahoshi. J.  Electrochem. Soc. 157,857 (2010).
8.
  T.  Inami, J.  Onuki, and M.  Isshiki. Electrochemical andSolid-state Letters. 14, 1 (2011).
9.
  K.J.  Ganesh, A.D.  Darbal, S.  Rajasekhara, G. S.  Rohrer,K. Barmak and P.J. Ferreira. Nanotechnology. 23, 1 (2012).
10.
Y. Ke, T. Konkova, S. Mironov, K. Tamahashi, J. Onuki.Thin Solid Films. 539, 207 (2013).
11.
T. Konkova, S. Mironov, Y. Ke, J. Onuki. Electrochemistry.81, 616 (2013).
12.
Y.  Ke, T.  Konkova, S.  Mironov, J.  Onuki. Letters onmaterials. 2, 198 (2012).
13.
J.-Y.  Cho, H.-J.  Lee, H.  Kim, J.A.  Szpunar. Archives ofMetallurgy and Materials. 50, 261 (2005).
14.
J.-Y. Cho, H.-J. Lee, H. Kim, and J.A. Szpunar. Journal ofElectronic Materials. 34, 506 (2005).
15.
S.H.  Brongersma, E.  Kerr, I.  Vervoort, A.  Saerens,K. Maex.J. Mater. Res. 17, 582 (2002).
16.
W.  Wu, D.  Ernur, S.H.  Brongersma, M.  Van Hove,K. Maex. Microelectronic Engineering. 76, 190 (2004).
17.
W.  Zhang, S.H.  Brongersma, N.  Heylen, G.  Beyer,W.  Vandervorst, and K.  Maex. Journal of TheElectrochemical Society. 152, 832 (2005).
18.
T. Muppidi, D.P. Field, J.E. Sanchez Jr., C.Woo. Thin SolidFilms. 471, 63 (2005).
19.
J.-Y. Cho, K. Mirpuri, D.N. Lee, J.-K. An and J.A. Szpunar.Journal of Electronic Materials. 34, 53 (2005).
20.
J.-Y.  Cho, H.-J.  Lee, H.  Kim, J.A.  Szpunar. Archives ofMetallurgy and Materials. 50, 261 (2005).
21.
H.J. Lee, H.N. Han, and D.N. Lee. Journal of ElectronicMaterials. 34, 1493 (2005).
22.
D.P. Field, O.V. Kononenko, and V.N. Matveev. Journal ofElectronic Materials. 31, 40 (2002).
23.
N.-J.  Park, D.P.  Field, M.M.  Nowell, and P.R.  Besser.Journal of Electronic Materials. 34, 1500 (2005).
Цитирования
1.
Roy A., Adhikari A., Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences 41(3), 159-191 (2016).